Sari la conținutul principal
Vezi AGIR — Asociația Generală a Inginerilor din România ISSN-L 1224-7928 · Online ISSN 2247-3548
Sigla AGIR
Buletinul AGIR
Revistă științifică trimestrială · din 1919
Indexată în baze de date internaționale EBSCOhost — EBSCO Publishing Inc. Index Copernicus International
Indexată în EBSCOhostIndex Copernicus International
Buletinul AGIR · nr. 4/2025

NOISE-EQUIVALENT MAGNETIC INDUCTION: GEOMETRY AND MATERIAL INFLUENCE ON HALL MICROSENSOR PERFORMANCE

Student Ianis-Teodor ANGHEL, Student Ștefan-Ionuț CRĂCIUN Coordonator Prof. Phd. eng. Gheorghe V. SAMOILESCU

Buletinul AGIR nr. 4/2025 · Anul XXIX · pag. 68-71

Articolul complet (PDF)

Rezumat

Această lucrare urmărește analiza zgomotului prezent la ieșirea senzorilor magnetici Hall, interpretat ca efect al unei inducții magnetice echivalente care acționează asupra unui element Hall ideal, fără zgomot propriu. Sunt studiate două tipuri de dispozitive Hall, realizate în tehnologii integrate bipolare și MOS, pentru a evidenția influența formei geometrice și a materialelor utilizate asupra principalilor parametri de performanță. Prin simularea mai multor structuri de senzori Hall se arată că alegerea potrivită a tehnologiei și a configurației
constructive contribuie semnificativ la îmbunătățirea sensibilității și stabilității dispozitivelor magnetice.

Cuvinte cheie: senzor magnetic Hallzgomot ele ctronicinducție magnetică echivalentăelement Hall idealtehnologie bipolarătehnologie MOSsimulare numericăperformanța senzorilorsensibilitatestabilitate.

Abstract

The noise signal observed at the output of a Hall magnetic sensor can be inte rpreted as the effect of an equivalent magnetic induction acting upon an ideal, noiseless Hall element. In this study, this characteristic is defined and analyzed for two Hall devices fabricated using bipolar and MOS integrated circuit technologies. Furthe rmore, the influence of geometrical configuration and material properties on the fundamental parameters determining magnetic sensor performance is examined through simulations of several Hall device structures.

Keywords: Hall magnetic sensorelectronic noiseequivalent magnetic inductionideal Hall elementbipolar technologyMOS technologynumerical simulationsensor performancesensitivitystability.

Din același număr

Tot cuprinsul